【转载】应用材料公司推出用于DRAM扩展的材料工程解决方案 >点击查看详细信息
应用材料目前正与DRAM客户合作，将三种材料工程解决方案商业化，从而创造出新的缩小方法以及提高性能和功耗的方法。该解决方案针对DRAM芯片的三个领域：存储电容器，互连布线和逻辑晶体管。它们现在正在大量生产，并有望在未来几年内显着提高Applied的DRAM收入。
关于应用材料
应用材料，Inc.（Nasdaq：AMAT）是材料工程解决方案的领导者，该解决方案用于生产世界上几乎所有新芯片和先进显示器。我们在原子级和工业规模上改性材料的专业知识使客户能够将可能性变为现实。在Applied Materials，我们的创新使塑造未来的技术成为可能。了解更多信息，请访问 www.appliedmaterials.com。
【转载】【制造/封测】一期总投资超1亿元 年产2亿颗晶圆芯片封装测试项目落户黄山高新区 >点击查看详细信息
黄山新城消息显示，5月19日，安徽黄山高新区管委会与江苏盐城市嘉鸿微电子有限公司举行年产2亿颗晶圆芯片封装测试项目签约仪式。
据介绍，该签约项目是国家推动半导体国产化自主化背景下，黄山高新区集中力量开展“双招双引”延链补链、推进产业链供应链自主可控能力的布局落子，同时也将是黄山高新区首个全部实现自动化的“黑灯工厂”项目。该项目将落户未来科技城，一期总投资超1亿元，计划建设百级、千级芯片封装测试无尘车间约4000平方米。
【转载】【制造/封测】中芯国际拟推股票激励计划：7565.04万股，激励对象或高达4000人 >点击查看详细信息
5月19日，中芯国际披露，公司董事会审议通过《2021年科创板限制性股票激励计划（草案）》及其相关议案。公告显示，为了进一步健全公司长效激励机制，吸引和留住优秀人才，充分调动公司员工的积极性，有效地将股东利益、公司利益和核心团队个人利益结合在一起，使各方共同关注公司的长远发展，在充分保障股东利益的前提下，按照收益与 贡献匹配的原则，根据相关法律法规等规定，制定本次激励计划。
根据公告，本激励计划采用的激励工具为第二类限制性股票，股票来源为公司向激励对象定向发行公司上海证券交易所科创板A股普通股股票。本激励计划首次授予价格依据本计划公告前1个交易日公司A股股票交易均价54.86元的36.46%确定，为每股20元。即满足授予条件和归属条件后，激励对象可以每股20元的价格购买公司向激励对象增发的公司A股普通股股票。
本次激励计划拟授予的限制性股票总量不超过7565.04万股，约占公司总股本的0.96%。其中，首次授予数量不超过6808.52万股，约占公司总股本的0.86%，约占本次授予权益总额的90.00%；预留756.52万股，约占公司总股本的0.10%，约占本次授予权益总额的10.00%。首次授予限制性股票的激励对象不超过4000人，约占公司2020年底员工总数17354人的23.05%，具体包括公司董事、高级管理人员、核心技术人员、中高级业务管理人员、技术与业务骨干人员。
中芯国际表示，公司所处的集成电路晶圆代工行业属于技术密集型行业，集成电路晶圆代工涉及数十种科学技术及工程领域学科知识的综合应用，需要相关人才具备扎实的专业知识和长期的技术沉淀。同时，各环节的工艺配合和误差控制要求极高，需要相关人才具备很强的综合能力和经验积累。近年来集成电路企业数量高速增长，行业优秀技术人才的供给存在一定缺口，人才争夺日益激烈。
【转载】【制造/封测】总投资800亿元新台币 矽品中科二林厂动土 >点击查看详细信息
5月19日，半导体封测厂商矽品在中国台湾地区彰化中科二林园区举办二林厂动土典礼。
据了解，矽品中科二林园区新厂计划总投资800亿元新台币，开发面积14.5公顷，预计规模将为现有彰化厂3倍以上，第一期预计于2022年完工，并在一年内正式进行量产。中科二林厂将成为矽品未来10年高端封测的核心基地，培育在地人才与研发能量，以期在全球经济复苏之际，抢占封测产业先机与布局。
矽品方面表示，自疫情爆发导致全球芯片供应链断链，台湾地区封测业5G应用及宅经济等需求畅旺，各国疯抢晶圆代工、封测产能，半导体产业成为重要战略物资。矽品顺应时势扩建新厂并落脚彰化，将能带动地方产业发展，预计中科二林厂未来8至10年产能满载后，将为地方创造近7500个工作机会。
日月光投控董事长张虔生指出，自从日月光与矽品携手开创封测产业全新格局，日月光投控现为全球第一大半导体封测厂，集团中的矽品选择中科二林园区做为未来战略性封测基地，将吸引更多优质厂商陆续进驻设厂，预期形成产业群聚效应。
矽品董事长蔡祺文表示，现正值欧美疫情逐渐控制、经济复苏却面临芯片短缺之际，各国无不想尽办法寻求芯片产能，矽品希望通过在此关键节点新建二林高端封测基地提升自身战力，率先抢占下一波芯片高峰浪潮。
【转载】【存储器】品质再获认可！金泰克SSD通过龙芯、飞腾、兆芯等平台AVL认证！>点击查看详细信息
近日，金泰克多系列SSD产品先后与龙芯、飞腾、兆芯完成产品兼容性合作认证。
在经过功能测试、性能测试、稳定性测试以及长期测试等一系列测试后，结果显示，金泰克（KT128GSSDS3-AA2OHC、KT256GSSDS3-AA2OHC、KT512GSSDS3-AA4OHC）、（KT512GM28P3-AC4XHD、MG931K）等多个系列固态硬盘产品与龙芯、飞腾、兆芯等CPU平台均兼容良好，在性能及可靠性上能够全面满足用户的应用需求。
本次认证中，KTXXXGSSDS3系列（XXX表示容量）是金泰克推出的高性能国产消费级SATA SSD产品，搭载联芸MAS0902主控和长江存储64层3D TLC颗粒，采用Aglie ECC处理技术与Xtracking架构技术，提供了卓越的性能支持，实现了业内领先的性能、可靠性和兼容性，可广泛应用于笔记本电脑、台式机、一体机、交换机等。
通过龙芯、飞腾、兆芯等平台AVL认证，既验证了金泰克SSD产品的高性能、高兼容及高品质性，也突出了金泰克在主流国产软硬件平台适配的快速响应能力。随着个人隐私、商业机密、互联网信息安全等问题也越来越引起企业和个人的重视，尤其是在确保国家数据和信息安全方面，推进国产化存储发展，已升级成为国家战略，一系列市场需求发展对存储产品的兼容性提出了更高的要求，未来，金泰克将持续响应国家战略需求，积极推进国产存储生态建设，携手合作伙伴开展产品适配，为打造国产存储的护城河添砖加瓦。
【转载】液化空气集团宣布其应用于半导体制造的前驱体ZyALD已获得中国专利局授予的相关专利 >点击查看详细信息
液化空气集团锆前驱体获得相关专利液化空气集团电子气业务加强高介电常数锆基前驱体的专利保护 液化空气集团电子气业务线宣布，其应用于半导体制造的前驱体ZyALD已获得中国专利局授予的相关专利，从而使中国成为了继韩国、新加坡、中国台湾以及部分欧洲国家之后又一获得该项专利的国家。
此外，相关专利的申请工作在其他国家及地区也预期顺利。ZyALD及其它类似分子应用于高介电常数沉积镀膜，该工艺目前已在全球范围内获得11项专利，另有13项专利正在申请中。 ZyALD（三（二甲胺基）环戊二烯锆）是上述已获专利的系列分子中一种重要的锆前驱体（功能分子）。该分子能够在半导体制造工艺中，实现高温条件下原子层沉积方法（ALD）沉积锆基介电层。ZyALD于2006年首次引入工业应用，目前已成为世界范围内用于生产动态随机存取存储器的主流高介电常数前驱体，替代了在高温环境下无法实现相应功能的传统分子。
ZyALD也可应用于后道工艺“金属-绝缘体-金属”结构（BEOL MIM Structure）以及嵌入式动态随机存取存储器（e-DRAM）中的高介电常数层。 凭借优异的物理化学属性以及较高的挥发性、热稳定性和沉积速率，ZyALD已成为简便易用的替代产品，并且通过拓展制造工艺的工艺平台，帮助终端用户实现从传统化学品到ZyALD的完美过渡。 ZyALD由液化空气集团的ALOHA制造中心生产，工厂分别位于美国加州、法国沙隆以及日本筑波，为全球大客户基地提供服务。面临尖端半导体制造工艺的挑战，ALOHA产品线的各种前驱体提升了微电子制造中膜材料的机电性能，并加速了各种新兴应用。ALOHA产品线可为45纳米及以下的器件制造提供所需的尖端CVD和ALD前驱体，涵盖从吨级别的硅前驱体和高介电常数材料到克级别的实验研发产品的需求。ALOHA前驱体优异的综合实力包含超高纯钢瓶、由液化空气集团BALAZS™世界级分析技术所支持的极其严格的技术标准、以及授权客户使用液空前驱体相关的知识产权。 液化空气集团电子气业务首席技术官Jean-Marc Girard先生表示：“液化空气集团致力于为客户提供创新产品，以满足他们日益具有挑战性的工艺需求。ZyALD™是ALOHA™所推出的诸多成功产品之一，我们希望持续的研发投入能给市场带来更多的独特产品。
【转载】 进口仪器占比71%，Picosun、Beneq最受欢迎—全国共享ALD盘点 >点击查看详细信息
原子层沉积（ALD）是一种基于气态前驱体在沉积表面发生化学吸附的纳米薄膜沉积技术，通过自限制性的前驱体交替饱和反应获得厚度、组分、形貌及结构在纳米尺度上高度可控的薄膜。该方法对基材不设限，尤其适用于具有高深宽比或复杂三维结构的基材。采用ALD制备的薄膜具有高致密性（无针孔）、高保形性及大面积均匀性等优异性能，这对薄膜的使用具有重要的实际意义。
随着微电子行业的发展,集成度不断提高、器件尺寸持续减小,使得许多传统微电子材料和科技面临巨大挑战,然而原子层沉积(ALD)技术作为一种优异的镀膜技术,因其沉淀的薄膜纯度高、均匀性及保行性好,还能十分精确地控制薄膜的厚度与成分,仍然备受关注并被广泛应用于半导体、光学、光电子、太阳能等诸多领域。 但一直以来，原子层沉积设备在科研院所等研究单位的分布情况缺乏调查。不过，中央及各级政府在近几年来制订颁布了关于科学仪器、科研数据等科技资源的共享与平台建设文件。
2021年1月22日，科技部和财政部联合发布《科技部 财政部关于开展2021年度国家科技基础条件资源调查工作的通知（国科发基〔2020〕342号）》，全国众多高校和科研院所将各种科学仪器上传共享。其中，对原子层沉积设备的统计分析或可一定程度反映科研用原子层沉积设备的市场信息。（注：本文搜集信息来源于重大科研基础设施和大型科研仪器国家网络管理平台，不完全统计分析仅供读者参考）。
【转载】设备业繁荣期冲进世界前十，ASM的ALD和EPI有何特色？>点击查看详细信息
凭借过去两年大两位数的增长，ASM在2019年冲进全球前十大半导体设备厂商之列。ASM在中国市场的表现更可称为“炸裂”，据ASM中国区总经理徐来表示，ASM中国区销售额2018年比2017年增长了3倍，2019年与2020年还延续高增长，其中2019年销售额比2017年增长了4倍。
过去几年，包括中国在内的全球晶圆产能扩充及新工艺的投入，让半导体设备厂商迎来繁荣期，各家财报都非常好看，其中ASM的表现就异常出色，凭借过去两年大两位数的增长，在2019年冲进全球前十大半导体设备厂商之列。ASM在中国市场的表现更可称为“炸裂”，据ASM中国区总经理徐来表示，ASM中国区销售额2018年比2017年增长了3倍，2019年与2020年还延续高增长，其中2019年销售额比2017年增长了4倍。
ASM全球市场高速增长的驱动力之一是公司主打产品单原子层沉积设备（Atomic Layer Deposition, ALD）的高速增长。
往后，ALD技术不断推进，而半导体行业的发展成为ALD技术突破的一大助力。微电子器件的迅速发展，要求电子器件在集成化的同时，还能保证其精度，呈现‘’小而精‘’的特点。因此要求不仅仅能够适应多种功能材料的要求，更能够在沉积过程中精准控制薄膜的厚度和形成均匀表面，同时，器件的稳定性要求在加工过程中尽量减少孔洞、空隙等缺陷，而ALD技术很好地满足了这些要求。在微电子领域，ALD被广泛地研究研究作为沉积高K（高介电常数）栅极氧化物，高K存储电容器电介质，铁电体以及用于电极和互连的金属和氮化物的潜在技术